激情内射亚洲一区二区三区-www国产精品内射老熟女-小蜜被两老头吸奶头在线观看-国产亚洲精品久久久久5区-国产播放隔着超薄丝袜进入

中文 EN
首頁
關(guān)于我們
新品發(fā)布
1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET
1200V 40mΩ 碳化硅MOSFET 返回
新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 2021年來PV逆變器市場進入高速發(fā)展期,對碳化硅功率器件的需求迅速增大。碳化硅二極管和MOSFET應(yīng)用在諸如BOOST電路等應(yīng)用中,因為第三代半導(dǎo)體材料帶來的高頻特性,可以提高系統(tǒng)的開關(guān)頻率,從而可以優(yōu)化整個系統(tǒng)的能耗和體積。我司碳化硅 MOSFET為匹配PV、EV行業(yè)客戶需求,開關(guān)性能、通流能力以及產(chǎn)品可靠性可以對標行業(yè)最佳; 不僅適用于常規(guī)開關(guān)應(yīng)用,還滿足控制要求高的高壓高速開關(guān)應(yīng)用,采用環(huán)保物料,符合RoHS標準
產(chǎn)品特點 1、耐高溫特性,工作溫度(150°C);單極性器件,開關(guān)速度快,損耗低,適用于高壓,高頻的應(yīng)用條件
2、采用先進的減薄工藝,使SIC MOSFET具有優(yōu)異的低阻抗特性,減小器件能量損耗
3、TO247AB,TO247-4L等多種封裝形式可選
4、通過行業(yè)嚴苛的可靠性認證,包括大批量的HTRB、HTGB測試和HV-H3TRB測試
規(guī)格書

YJD212040NCFG1 YJD212040NCTG1

相關(guān)新品

0.05pF超低容值的ESDM系列靜電保護二極管

SGT N80-85V Power MOSFET

三相整流模塊N5/N6產(chǎn)品

1200V 80 mΩ SIC MOSFET

高溫場景”穩(wěn)“字訣——耐高溫肖特基貼片二極管新品

應(yīng)用于面板端口的ESD產(chǎn)品

汽車電機驅(qū)動用N40V SGT MOSFET新品

JC系列

用于手機電路板的DFN1608封裝小信號肖特基二極管

應(yīng)用于PD電源的100V 3.2mΩ SGT MOSFET新品

Privacy Cookies 本網(wǎng)站使用瀏覽器紀錄 Cookies 來優(yōu)化您的使用體驗,相關(guān)信息請訪問我們的法律聲明與隱私聲明。如果您選擇繼續(xù)瀏覽這個提示,便表示您已接受我們網(wǎng)站的使用條款。