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分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
整流二極管
快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
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MOSFET
功率三極管
小信號數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
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汽車SiC MOSFET
IGBT汽車電子

整流器件

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快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管

汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號

小信號開關(guān)二極管
小信號肖特基二極管
小信號穩(wěn)壓管
小信號三極管
小信號數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號
小信號開關(guān)二極管小信號肖特基二極管小信號穩(wěn)壓管小信號三極管功率三極管小信號數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planar MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
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汽車SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
壓接整流模塊
壓接晶閘管模塊
壓接晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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SOD-323HE瞬態(tài)抑制二極管

SOD-323HE瞬態(tài)抑制二極管 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1、超薄封裝外形，可應(yīng)用于小型化、薄型化電路；
2、封裝底面帶有散熱片，散熱性能優(yōu)；
3、采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)；
4、廣泛應(yīng)用于次級整流電路，轉(zhuǎn)換器，續(xù)流二極管，交/直流電源防護(hù)等；

產(chǎn)品特點(diǎn) 1、散熱性能優(yōu)：背面Pad面積大，對比SOD-123FL散熱路徑更改，由原來的引腳散熱更改為背部金屬板Pad散熱，金屬散熱面積增大89%
2、封裝外形小：比SOD-123HE封裝長度降低56%，寬度降低56%，滿足封裝小型化的發(fā)展趨勢

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